Hétéroépitaxie de GaN sur Si : De la nucléation à la relaxation des contraintes, étude par microscopie électronique en transmission
Ce travail est consacré à l'hétéroépitaxie de GaN sur substrat Si, étudié à l’échelle nanométrique par microscopie électronique en transmission. On étudie dans un premier temps la croissance de la couche de nucléation d’AlN, en analysant la structure de son interface avec Si, et les premières é...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | fr |
| Published: |
2016
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2016GREAY078/document |