Nouvelle technologie utilisant les plasmas H2 et He pour contrôler la gravure de couches ultraminces à l’échelle nanométrique
Pour la réalisation des transistors FDSOI 22 nm et 3D FinFET 10 nm, la gravure de couches ultraminces de quelques nanomètres d’épaisseur doit être réalisée sans endommagement de la couche sous-jacente et n’est plus envisageable avec les procédés reposant sur les plasmas continus à haute densité. Une...
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| Language: | fr |
| Published: |
2016
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2016GREAT079/document |