Caractérisation électrique et optimisation technologique des mémoires résistives Conductive Bridge Memory (CBRAM) afin d’optimiser la performance, la vitesse et la fiabilité
La technologie Flash arrive à ses limites de miniaturisation. Ainsi, la nécessité de nouvelles technologies mémoire augmente. Les candidats au remplacement des mémoires Flash sont les technologies non volatiles émergentes comme les mémoires à pont conducteur (CBRAM), résistives à base d'oxyde (...
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| Language: | en |
| Published: |
2016
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2016GREAT022/document |