Développement de procédés de gravure plasma innovants pour les technologies sub-14 nm par couplage de la lithographie conventionnelle avec l'approche auto-alignée par copolymère à blocs
Le coût de la poursuite de la miniaturisation des transistors en-dessous de 14 nm demande l’introductionde techniques moins onéreuses comme l’approche auto-alignée par copolymères à blocs (DSA) combinéeà la lithographie 193 nm. Etudiée principalement pour des motifs de tranchées (pour les FinFETs)ou...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Language: | fr |
| Published: |
2016
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2016GREAT007/document |