Fabrication and modeling of SiGe Nanostructures Driven by Hetero-epitaxial Elasticity
Nous étudions ici l’heteroepitaxie du silicium-germanium (SiGe), un système qui est couramment considéré comme le stéréotype de l’´épitaxie des semi-conducteurs. Bien que ce système ait déjà attiré une attention considérable en raison de ses applications pour l’ingénierie des bandes dans l’indus...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Language: | en |
| Published: |
2016
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2016ECDM0014/document |