Reliability of SiGe, C HBTs operating at 500 GHz : characterization and modeling

Reliability of SiGe, C HBTs operating at 500 GHz : characterization and modeling

Le sujet de cette thèse est l’analyse de la fiabilité des transistors bipolaires à hétérojonction SiGe:C et descircuits intégrés associés. Dans ce but, un modèle compact prenant en compte l’évolution des caractéristiquesdes transistors SiGe:C a été développé. Ce modèle intègre les lois de vieillisse...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Jacquet, Thomas
Other Authors: Bordeaux
Language:en
Published: 2016
Subjects:
HBT SiGe:C
Fiabilité à long-terme
Dégradation par porteur chaud
Modélisation compact
SiGe :C HBT
Long-term reliability
Hot carriers degradation
Compact modeling
Transistori a eterogiunzione SiGe:C
Portatori ad elevata energia
Modello compatto Unité
Online Access:http://www.theses.fr/2016BORD0354/document

Internet

http://www.theses.fr/2016BORD0354/document

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