Recherche et évaluation d'une nouvelle architecture de transistor bipolaire à hétérojonction Si/SiGe pour la prochaine génération de technologie BiCMOS

Recherche et évaluation d'une nouvelle architecture de transistor bipolaire à hétérojonction Si/SiGe pour la prochaine génération de technologie BiCMOS

L'objectif principal de cette thèse est de proposer et d'évaluer une nouvelle architecture de Transistor Bipolaire à Héterojonction (TBH) Si/SiGe s’affranchissant des limitations de l'architecture conventionnelle DPSA-SEG (Double-Polysilicium Self-Aligned, Selective Epitaxial Growth)...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Vu, Van Tuan
Other Authors: Bordeaux
Language:fr
Published: 2016
Subjects:
Transistor bipolaire à hétérojonction (TBH)
SiGe
TCAD
Budget thermique
55-nm BiC-MOS (BiCMOS055)
28-nm FD-SOI BiCMOS (BiCMOS028)
Terahertz
Hetero-junction bipolar transistors (HBTs)
TCAD calibration
Thermal budget
55-nm BiCMOS (BiCMOS055)
Novel SiGe HBT architecture
Online Access:http://www.theses.fr/2016BORD0304/document

Internet

http://www.theses.fr/2016BORD0304/document

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