Réalisation et caractérisation de transistors MOS à base de nanofils verticaux en silicium
Afin de poursuivre la réduction d'échelle des transistors MOS, l'industrie des semiconducteurs a su anticiper les limitations de la miniaturisation par l'introduction de nouveaux matériaux ou de nouvelles architectures. L'avènement des structures à triples grilles (FinFET) a perm...
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| Language: | fr |
| Published: |
2015
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2015TOU30253/document |