Caractérisation de la susceptibilité électromagnétique des étages d'entrée de composants électroniques

Caractérisation de la susceptibilité électromagnétique des étages d'entrée de composants électroniques

Le travail de recherche présenté dans ce manuscrit contribue à une étude générale de la susceptibilité électromagnétique (EM) d'un transistor MOS (Metal Oxide Semiconductor) dans une gamme de fréquences allant de 10 MHz à 1 GHz. Ce composant est destiné à un usage général pour des applications...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Pouant, Clovis
Other Authors: Montpellier
Language:fr
Published: 2015
Subjects:
Redressement
Susceptibilité électromagnétique
Composants électroniques
Non-Linéarités
Transistor MOS
Rectification
Electromagnetic susceptibility
Electronic devices
Nonlinearities
MOS transistor
Online Access:http://www.theses.fr/2015MONTS064/document

Internet

http://www.theses.fr/2015MONTS064/document

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