Conception et réalisation de composants GaN innovants pour les applications de conversion de puissance au-delà du kilovolt
Les transistors à haute mobilité électronique à base de Nitrure de Gallium sur substrat de silicium (GaN-sur-Si) sont des candidats prometteurs pour les futures générations de convertisseur de puissance. Aujourd’hui, plusieurs verrous techniques ralentissent la commercialisation de cette technologie...
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| Language: | fr |
| Published: |
2015
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2015LIL10152 |