Nanofils de GaN/AlN : nucléation, polarité et hétérostructures quantiques
Usant de certaines conditions, la croissance épitaxiale de GaN sur un large panel de substrats donne lieu à une assemblée de nanofils. Cette géométrie filaire peut permettre la croissance d'hétérostructures libres de tous défauts cristallins étendus, ce qui les rendent attractives pour créer de...
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| Language: | en |
| Published: |
2015
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2015GREAY057/document |