Caractérisation par faisceaux d’ions d’hétérostructures III-V pour les applications micro et optoélectroniques
L'intégration de composés semi-conducteurs III-V sur silicium devrait conduire au développement de nouveaux dispositifs micro- et optoélectroniques performants. Le composé InGaAs de haute mobilité électronique est un candidat prometteur pour le transistor métal-oxyde-semiconducteur à effet de c...
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| Language: | en |
| Published: |
2015
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2015GREAT140/document |