Caractérisation électrique et modélisation des transistors FDSOI sub-22nm
Parmi les architectures candidates pour les générations sub-22nm figurent les transistors sur silicium sur isolant (SOI). A cette échelle, les composants doivent intégrer des films isolants enterrés (BOX) et des canaux de conduction (Body) ultra-minces. A ceci s'ajoute l'utilisation d'...
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| Language: | en |
| Published: |
2015
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2015GREAT098/document |