Caractérisation électrique et modélisation des transistors FDSOI sub-22nm

Caractérisation électrique et modélisation des transistors FDSOI sub-22nm

Parmi les architectures candidates pour les générations sub-22nm figurent les transistors sur silicium sur isolant (SOI). A cette échelle, les composants doivent intégrer des films isolants enterrés (BOX) et des canaux de conduction (Body) ultra-minces. A ceci s'ajoute l'utilisation d'...

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Bibliographic Details
Main Author: Shin, Minju
Other Authors: Grenoble Alpes
Language:en
Published: 2015
Subjects:
Transport électronique
Mobilité électrique
Fendue CV
Du bruit basse fréquence
Magnétorésistance
Fully-depleted silicon-on-insulator (FD-SOI)
14nm-node
Carrier transport
Low temperature
Full split CV
Low frequency noise
Coupling measurement
Magnetoresistance
Mobility
620
Online Access:http://www.theses.fr/2015GREAT098/document

Internet

http://www.theses.fr/2015GREAT098/document

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