Caractérisation électrique d’hétérostructures AlGaN/GaN pour des applications de puissance
Cette thèse s'inscrit dans le cadre du développement de transistors de puissance HEMT à base de nitrure de gallium au CEA. Les HEMT AlGaN/GaN sont des composants très prometteurs pour les applications d'électronique de puissance. Le but de cette thèse est d'étudier en détail le matéri...
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| Language: | fr |
| Published: |
2015
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2015GREAT081/document |