Traitement de couches minces et de dispositifs à base de a-Si : H par un plasma d'hydrogène : Etude in situ par ellipsométrie spectroscopique.
Ce travail est une contribution à l'étude de l'interaction entre des couches minces de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) et un plasma d'hydrogène, dans un réacteur de dépôt par PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Le suivi in situ de la cinétique de gravure par l'...
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| Language: | fr |
| Published: |
2014
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2014REIMS010/document |