Evaluation of doping in 4H-SiC by optical spectroscopies
Ce travail porte sur la caractérisation optique d'échantillons de 4H-SiC. Les échantillons étudiés ont été répartis en deux groupes : type-n et type-p. La croissance des épitaxies a été réalisée par CVD technique utilisant horizontal, paroi chaude, chauffée par résistance, en utilisant de l...
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| Language: | en |
| Published: |
2014
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2014MON20145/document |