Study of electrical characteristics of tri-gate NMOS transistor in bulk technology
Afin de dépasser la limite d'échelle, il existe une solution innovante qui permet de fabriquer des structures multi-grilles. Ainsi, un NMOSFET composé de trois grilles indépendantes fabriquées dans la technologie CMOS. En dehors de leur forme, géométrique, le transistor multi-grille est similai...
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| Language: | en |
| Published: |
2014
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2014LYO10282/document |