Caractérisation des effets parasites dans les HEMTs GaN : développement d'un banc de mesure 3ω
Ce document porte sur le développement d’un nouveau banc de mesure pour la caractérisation de l’impédance thermique des HEMTs GaN. Le banc développé repose sur la méthode dite « 3ω » qui consiste à mesurer l’harmonique 3 d’un signal électrique véritable image des variations thermiques du composant....
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| Language: | fr |
| Published: |
2014
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2014LIMO0048/document |