Contribution à la caractérisation et la modélisation jusque 325 GHz de transistors HBT des technologies BiCMOS
L’émergence des applications grand public en gamme millimétrique et térahertz, telles que la communication très haut débit, le radar automobile et l’imagerie, est aujourd’hui rendue possible grâce aux progrès continus sur les performances des transistors. La technologie BiCMOS SiGe compte parmi les...
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Language: | fr |
Published: |
2014
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Online Access: | http://www.theses.fr/2014LIL10141/document |