Contacts auto-alignés pour la technologie CMOS 10 nm FDSOI
Dans le cas des générations de transistors sub-14nm, l’intégration de contacts métalliques classiques soumis aux limitations de la lithographie optique ne permet pas d’atteindre les performances d’alignement requises par les règles de dessin (pitch de grille 64nm en FDSOI 10nm) et les rendements ind...
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| Language: | fr |
| Published: |
2014
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2014LIL10105/document |