Wide bandgap (SiC/GaN) power devices characterization and modeling : application to HF power converters
Les matériaux semi-conducteurs à grand gap tels que le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN) sont utilisés pour fabriquer des composants semi-conducteurs de puissance, qui vont jouer un rôle très important dans le développement des futurs systèmes de conversion d'énergie. L&#...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Language: | en |
| Published: |
2014
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2014LIL10080/document |