Etude de nano-transistors à faible pente sous le seuil pour des applications très basse consommation
Le transistor à effet tunnel bande à bande (TFET) est une architecture PIN à grille capable d’obtenir une pente sous le seuil inférieure à 60mV/dec à température ambiante, ce qui représente un avantage par rapport au MOSFET dans le cas d’applications basse consommation. L’objectif de cette thèse est...
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| Language: | fr |
| Published: |
2014
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2014GRENT101/document |