Modeling and characterization of electrical effects of Ge integration in Metal/High-k/SiGe MOS structures
L'introduction du SiGe dans les pMOS (Bulk et FDSOI) exige un bon contrôle de la tension de seuil (VT). Ceci nécessite une extraction précise des paramètres électriques ainsi qu'une compréhension des effets électriques du Ge dans de tels dispositifs. Dans cette thèse, nous avons d'abo...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | en |
| Published: |
2014
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2014GRENT018/document |