Relaxation de spin dans les semi-conducteurs dopés et dans les nanostructures à base de semi-conducteurs
Dans cette thèse nous considérons un semi-conducteur de GaAs dopé, où nous étudions la relaxation du spin du côté métallique de la transition metal-isolant. Nous considérons deux types différents d'interaction de spin-orbite. Le premier d'entre eux est associé aux impuretés et l'autre...
| Main Author: | |
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| Language: | en |
| Published: |
2013
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2013STRAE033/document |