Développement et caractérisation de nouveaux procédés de passivation pour les capteurs d'images CMOS

Développement et caractérisation de nouveaux procédés de passivation pour les capteurs d'images CMOS

La conception des futures générations de capteurs d'images CMOS, nécessite l'intégration de structures 3D telles que les tranchées profondes d'isolation, ou encore l'adoption de nouvelles architectures telles que les capteurs d'images à illumination face arrière. Cependant,...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Ait Fqir Ali, Fatima Zahra
Other Authors: Lyon 1
Language:fr
Published: 2013
Subjects:
Capteurs d’images CMOS à illumination face arrière
Passivation par implantation et recuit laser pulsé
Tranchées profondes d’isolation
Passivation par épitaxie sélective dopée in-situ
Caractérisation
Modélisation
Backside illuminated CMOS image sensors
Ionic implantation and laser thermal annealing for bask-surface passivation
Deep trench isolation
In-situ doped selective epitaxial growth for deep trench passivation
Characterization
Modeling
621.3
Online Access:http://www.theses.fr/2013LYO10186

Internet

http://www.theses.fr/2013LYO10186

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