Transistors MOS sur films minces de Silicium-sur-Isolant (SOI) complètement désertés pour le noeud technologique 10nm
Depuis plusieurs générations technologiques, la réduction des dimensions des transistors à effet de champ Métal-Oxyde-Semiconducteur (MOSFET) n'est plus suffisante pour augmenter à elle seule les performances des circuits intégrés. Pour les circuits logiques à partir du nœud 28 nm, l'archi...
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| Language: | fr |
| Published: |
2013
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2013GRENT047/document |