Conception, réalisation et caractérisation de photodétecteurs ultraviolets "Solar-blind" à base de nouveaux alliages BAlGaN
Les développements récents des techniques de fabrication de matériaux semi-conducteurs de type III-N comme GaN et AlGaN permettent le développement de photo-détecteurs Schottky et métal-semi-conducteur-métal opérant dans le domaine de l'ultraviolet. Alors que les photo-détecteurs à base de GaN...
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| Language: | en |
| Published: |
2012
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2012LORR0058/document |