Transport électronique à travers deux dopants, en régime statique et dynamique dans des transistors silicium
Dans cette thèse, nous nous sommes intéressés à l'étude à basse température de dispositifs en silicium de taille nanométrique. Dans ces dispositifs, il est possible de faire passer le courant électrique à travers un nombre réduit de dopants. Nous avons étudié plus spécifiquement le cas de deux...
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| Language: | fr |
| Published: |
2012
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2012GRENY111/document |