Intégration de transistor mono-électronique et transistor à atome unique sur CMOS
La réduction (« scaling ») continue des dimensions des transistors MOSFET nous a conduits à l'ère de la nanoélectronique. Le transistor à effet de champ multi-grilles (MultiGate FET, MuGFET) avec l'architecture «nanofil canal» est considéré comme un candidat possible pour le scaling des MO...
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| Language: | fr |
| Published: |
2012
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2012GRENY101/document |