Croissance par épitaxie par jets moléculaires et détermination des propriétés structurales et optiques de nanofils InGaN/GaN
Ce travail a porté sur la croissance par épitaxie par jets moléculaires de nanofils InGaN/GaNsur Si (111).Le dépôt d'InGaN en conditions riches azote sur des nanofi ls GaN pré-existants permet deconserver la structure colonnaire. La morphologie des nanofi ls s'est révélée dépendre fortemen...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Language: | fr |
| Published: |
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2012GRENY026/document |