Etudes théorique et expérimentale des performances des dispositifs FD SOI sub 32 nm
> Ce manuscrit présente une étude théorique et expérimentale effectuée sur des transistors MOSFET d’une> technologie avancée de type FD SOI (complètement déserté silicium sur isolant). Des mesures électriques> combinées avec des modélisations ont été effectuées dans le but d’apporter des ex...
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Language: | fr |
Published: |
2012
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Online Access: | http://www.theses.fr/2012GRENT081/document |