Caractérisation et modélisation électrique des phénomènes de couplage par les substrats de silicium dans les empilements 3D de circuits intègrés
Afin d’améliorer les performances électriques dans les circuits intégrés en 3D, une large modélisation électromagnétique et une caractérisation haute fréquence sont requises. Cela a pour but de quantifier et prédire les phénomènes de couplage par le substrat qui peuvent survenir dans ces circuits in...
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| Language: | fr |
| Published: |
2012
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2012GRENT021 |