Réalisation et caractérisation de dispositifs MOSFET nanométriques à base de réseaux denses de nanofils verticaux en silicium
Dans cette thèse, un procédé innovant de transistor implémenté sur des réseaux denses de nanofils (NFs) verticaux est proposée comme une solution potentielle pour des composants très avancés.Dans une première partie, des masques de résine formant des réseaux des nanopiliers verticaux sont fabriqués...
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| Language: | fr |
| Published: |
2011
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2011LIL10069/document |