Etude des défauts électriquement actifs dans les matériaux des capteurs d'image CMOS
La taille des pixels des capteurs d’image CMOS approche aujourd’hui lemicron. Dans ce contexte, le courant d’obscurité reste un paramètrecritique. Il se superpose au courant photogénéré en affectant la qualité del’image par l’apparition de pixels blancs. La contamination métalliqueintroduite au cour...
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| Language: | fr |
| Published: |
2011
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2011GRENT002/document |