Analyse des contraintes mecaniques et de la resistivite des interconnexions de cuivre des circuits integres : role de la microstructure et du confinement geometrique

L’évolution de la technologie microélectronique conduit à une densité d’intégration toujours plus forte des transistors. Les structures d’interconnexions en cuivre Damascène suivent cette tendance et doivent être maîtrisées en termes de fabrication, de performance et de robustesse, ces différents as...

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Bibliographic Details
Main Author: Vayrette, Renaud
Other Authors: Saint-Etienne, EMSE
Language:fr
Published: 2011
Subjects:
Online Access:http://www.theses.fr/2011EMSE0599/document

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