Non quasi-static effects investigation for compact bipolar transistor modeling

Non quasi-static effects investigation for compact bipolar transistor modeling

Les transistors rapides actuels présentent un retard lorsqu’ils fonctionnent à très hautes fréquences ou en régime transitoire rapide. Cet effet est appelé effet non quasi-statique (NQS). Dans cette thèse, l’effet NQS est analysé de manière concise de façon à être directement implanté dans les modèl...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Bhattacharyya, Arkaprava
Other Authors: Bordeaux 1
Language:en
Published: 2011
Subjects:
Conception assistée par ordinateur (CAO)
Transistor bipolaire
TBH SiGe
Modélisation compacte
Modèle HICUM
Extraction des paramètres
Computer Aided Design (CAD),
Bipolar transistor
SiGe HBT
Compact modeling
HICUM model
Online Access:http://www.theses.fr/2011BOR14294/document

Internet

http://www.theses.fr/2011BOR14294/document

Similar Items