TCAD based SiGe HBT advanced architecture exploration

Dans le but d’améliorer les transistors bipolaires TBH SiGe, nous proposons d’étudier l’impact de la contrainte mécanique sur leurs performances. En effet, cette contrainte permet de libérer un degré de liberté supplémentaire pour améliorer les propriétés du transport grâce à un changement de la str...

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Bibliographic Details
Main Author: Al-S'adi, Mahmoud
Other Authors: Bordeaux 1
Language:en
Published: 2011
Subjects:
Online Access:http://www.theses.fr/2011BOR14239/document