Simulation de la variabilité du transistor MOS
L’augmentation de la densité d’intégration des circuits intégrés nous a amené à étudier, dans le cadre du développement de la technologie CMOS 45 nm, les sources de variabilité inhérentes aux procédés de fabrication utilisés pour ce nœud technologique, et à en déterminer les composantes principales,...
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| Language: | fr |
| Published: |
2011
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| Online Access: | http://www.theses.fr/2011AIX10214/document |