Etude des fluctuations locales des transistors MOS destinés aux applications analogiques

Etude des fluctuations locales des transistors MOS destinés aux applications analogiques

Les fluctuations électriques des composants sont une limitation à la miniaturisation des circuits. Malgré des procédés de fabrications en continuelle évolution, les variations des caractéristiques électriques dues au désappariement entre deux dispositifs limitent les performances des circuits. Conce...

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Bibliographic Details
Main Author: Joly, Yohan
Other Authors: Aix-Marseille 1
Language:fr
Published: 2011
Subjects:
Fluctuations électriques
Appariement (désappariement)
Conception analogique
Inversion faible
Effet « hump »
Macro-modèle
Contre-dopage
Fiabilité
Transistors octogonaux.
Electrical fluctuations
Matching (mismatch)
Analog design
Weak inversion
« hump » effect
Macro-model
Counter doping
Reliability
Octagonal devices.
Online Access:http://www.theses.fr/2011AIX10138/document

Internet

http://www.theses.fr/2011AIX10138/document

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