Réexamen du comportement vibrationnel des alliages modèles GaAs(1-x)Px et Si(1-x)Gex : modèle de percolation et calculs ab initio
Le schéma générique de percolation 1-liaison→2-TO mis au point sur site pour la compréhension de base des spectres de vibration (Raman et infrarouge - IR) des alliages semiconducteurs aléatoires usuels, i.e., s’inscrivant dans la structure zincblende, qui a récemment supplanté le modèle standard 1-l...
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| Language: | fr |
| Published: |
2010
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2010METZ025S/document |