Croissance de NFs d'InP sur silicium par épitaxie par jets moléculaires en mode VLS

Les nanofils (NFs) semiconducteurs suscitent un intérêt croissant depuis ces dix dernières années, aussi bien pour leurs propriétés fondamentales que pour leurs applications potentielles dans de nombreux domaines (électronique, optoélectronique, photonique, photovoltaïque, …). Par exemple, grâce à l...

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Bibliographic Details
Main Author: Naji, Khalid
Other Authors: Ecully, Ecole centrale de Lyon
Language:fr
Published: 2010
Subjects:
InP
Online Access:http://www.theses.fr/2010ECDL0032/document