Caractérisations et modélisations des technologies CMOS et BiCMOS de dernières générations jusque 220 GHz
Le contexte de ce travail de thèse s’inscrit dans les récents progrès des performances en gamme millimétrique des composants silicium tels que les MOSFET et les HBT SiGe. La situation actuelle en termes de circuits à base de silicium est limitée en fréquence autour de 60 GHz, seuls quelques résultat...
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| Language: | fr |
| Published: |
2009
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.theses.fr/2009LIL10132/document |