[en] THEORETICAL AND EXPERIMENTAL STUDY ON MICROWAVE HEMTS

[pt] Neste trabalho é realizado um estudo sobre os transistores HEMT. A partir da geometria do dispositivo, espessuras e densidades de dopagem das camadas que compõem a heterojunção, são obtidas expressões analíticas para a característica IXV do componente bem como para o circuito equivalente d...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: MURILO ARAUJO ROMERO
Other Authors: ALVARO AUGUSTO ALMEIDA DE SALLES
Language:pt
Published: MAXWELL 2007
Subjects:
Online Access:https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/Busca_etds.php?strSecao=resultado&nrSeq=9473@1
https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/Busca_etds.php?strSecao=resultado&nrSeq=9473@2
http://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.9473