Bulk growth and extended-defect analysis of high-quality SiC single crystals

Kyoto University (京都大学) === 0048 === 新制・課程博士 === 博士(工学) === 甲第13822号 === 工博第2926号 === 新制||工||1432(附属図書館) === UT51-2008-C738 === 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 === (主査)教授 木本 恒暢, 教授 鈴木 実, 教授 川上 養一 === 学位規則第4条第1項該当...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Nakamura, Daisuke
Other Authors: 木本, 恒暢
Format: Others
Language:English
Published: 京都大学 (Kyoto University) 2011
Subjects:
500
Online Access:http://hdl.handle.net/2433/136293