アニール技術を用いた高性能シリコン薄膜トランジスタに関する研究
ポリSi薄膜トランジスタ（TFT）の高性能化について、理論的、技術的な観点から種々の問題点を導き、特にトラップ密度や粒径の大小がTFTの電気的特性に与える影響を詳細に解析し、イオン注入やその後のアニール技術などによって充分に実証を行ったものである。特にエキシマレーザアニール（ELA）を用いた、全工程が下地に影響を与えない低温プロセスは、LSIの微細化とガラス上素子特性の向上に資するものとして有益な知見と考えられる。 === 博士(工学) === Doctor of Philosophy in Engineering === 同志社大学 === Doshisha University...
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Others |
| Language: | ja |
| Published: |
1992
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| Subjects: | |
| Online Access: | https://doshisha.repo.nii.ac.jp/?action=repository_uri&item_id=27529 http://id.nii.ac.jp/1707/00027521/ https://doshisha.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=27529&item_no=1&attribute_id=21&file_no=1 |