Combinação de heterojunções a base de GaAs com óxidos semicondutores para aplicações em dispositivos optoeletrônicos : 1) GaAs/SnO2, 2) GaAs/ZnO: ressonadores de ondas acústicas de volume /

Combinação de heterojunções a base de GaAs com óxidos semicondutores para aplicações em dispositivos optoeletrônicos : 1) GaAs/SnO2, 2) GaAs/ZnO: ressonadores de ondas acústicas de volume /

Orientador: Luis Vicente de Andrade Scalvi === Resumo: Este trabalho visa apresentar o desenvolvimento e as principais conclusões referentes à combinação de heterojunções a base de GaAs com óxidos semicondutores, para aplicações em dispositivos optoeletrônicos. O texto foi dividido em duas partes pr...

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Bibliographic Details
Main Author: Machado, Diego Henrique de Oliveira.
Other Authors: Universidade Estadual Paulista "Júlio de Mesquita Filho" Faculdade de Ciências (FC)
Format: Others
Language:Portuguese
Published: Bauru, 2020
Subjects:
Arseneto de gálio
Dióxido de estanho
Terra-rara
Óxido de zinco.
Heteroestrutura
Transporte elétrico
Luminescencia.
Ondas acústicas
Gallium arsenide
Tin dioxide
Rare-earth
Zinc oxide
Heterostructure
Electrical transport
Luminescence
Acoustic waves
Online Access:http://hdl.handle.net/11449/192778

Internet

http://hdl.handle.net/11449/192778

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