Avaliação de propriedades ópticas e eletrônicas da heteroestrutura GaAs/SnO2 : Eu na forma de filmes finos /

Avaliação de propriedades ópticas e eletrônicas da heteroestrutura GaAs/SnO2 : Eu na forma de filmes finos /

Orientador: Luis Vicente de Andrade Scalvi === Resumo: A proposta deste trabalho é a investigação e compreensão de propriedades ópticas e eletrônicas da heteroestrutura formada pelo semicondutor III-V GaAs e o semicondutor óxido SnO2. A deposição de filmes finos de GaAs é feita por evaporação resist...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Bueno, Cristina de Freitas.
Other Authors: Universidade Estadual Paulista "Júlio de Mesquita Filho" Faculdade de Ciências (FC)
Format: Others
Language:Portuguese
Published: Bauru, 2019
Subjects:
Arseneto de gálio
Dióxido de estanho
Heteroestrutura
Európio.
Radiação Síncrotron
XANES
EXAFS
Decaimento de condutividade fotoinduzida
Gallium arsenide
Tin dioxide
Heterostructure
Europium
Síncrotron radiation
Photoinduced conductivity decay
Online Access:http://hdl.handle.net/11449/182060

Internet

http://hdl.handle.net/11449/182060

Similar Items