Study on the Reliability of POCl3 Annealed ALD SiO2 for 4H-SiC MOSFETs

Study on the Reliability of POCl3 Annealed ALD SiO2 for 4H-SiC MOSFETs

碩士 === 國立清華大學 === 電子工程研究所 === 102 === 因申請專利緣故，資料延後公開

Bibliographic Details
Main Authors: Lo, Wei-Tang, 羅偉唐
Other Authors: Huang, Chih-Fang
Format: Others
Language:zh-TW
Published: 2014
Online Access:http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/a3m95q
Description
Summary:碩士 === 國立清華大學 === 電子工程研究所 === 102 === 因申請專利緣故，資料延後公開

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