使用金屬輔助化學蝕刻方式製作改良式柵欄狀結構太陽電池之研究
碩士 === 國立清華大學 === 電子工程研究所 === 99 === 在本篇論文中，我們使用金屬輔助的化學蝕刻方法在單晶矽與多晶矽的基板上製作出修正型的柵欄狀結構太陽能電池。而這些蝕刻的結構與形狀都使用掃描式電子顯微鏡來做分析。在單晶矽基板部分，我們增加了一個額外去除表面結構損傷的製程步驟，使用HNO3/HF/H2O=50:1:20混合的蝕刻液來作處理，另外在第一個流程製作出的元件裡，我們認為填充因子(Fill Factor)數值偏低是因為不完美的金屬與半導體接面所造成，因此我們增加了FGA 高溫退火的時間來改進這個問題。而太陽電池的光電轉換效率在增加與改進了這兩個步驟之後有了1.8-3%...
| Main Authors: | , |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | en_US |
| Published: |
2011
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| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/37651425041054038059 |